兄弟们我又双叒叕开新书了：重启人生：我能打给十年前的自己，兄弟们帮忙收藏，给几张推荐！
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这样的领先，让星火科技的碳纳米管芯片开发者，也没有想到。
此前他们推出的第一代碳纳米管芯片的时候，因为急着推出产品。
所以在碳纳米管管线的布置这一块，选择略显草率，并没有仔细研究芯片搭建的步骤。
可即便如此，他们的第一代28纳米制程的碳纳米管芯片，已经在性能方面碾压所有同级竞争对手了。
而在后来，因为受制于一些生产设备，和生产材料。
比如光刻机，比如光刻胶等等，所以他们也并没有急于像下一代碳纳米管芯片进发。
就是在28纳米碳纳米管芯片这一块，不断反复耕耘，深度挖潜。
可谁都没想到，竟然挖掘出这么大的潜能。
以前在硅基芯片时代，科学家们之所以不断要缩小芯片的制程。
比如三到五年，就要把芯片制程缩小几纳米。
其实就是为了在特定的空间里，堆积下更多的晶体管。
因为布置的晶体管越多，那么你运算的速度就越快。
但随着制程越来越小，按照摩尔定律，这硅基芯片的潜能也就被逼近了极限。
就比如现在主流的5纳米制程的硅基芯片，虽然据说运算性能比上一代7纳米制程的芯片要提升了百分之二十，功耗也小了百分之二十。
可实际上呢！
现在市面上主流的使用5纳米制程芯片的手机，实际使用感受，其实都不怎么样？
尤其是在发热控制这一块，不管是高通，还是水果，都做的不怎么好。
使用5纳米制程的骁龙888，和水果A14芯片，如果打游戏的话，使用一两个小时时候，都会发烫。
并且疯狂的耗电。
这其实就说明，5纳米制程硅基芯片的工艺还不是很成熟。
还可以在改进，深度挖潜。
但因为竞争激烈，芯片设计和制造商们，根本就停不下来。
他们不愿意停在5纳米制程这一块挖潜，因为在他们看来，与其在这里花钱。
还不如直接跳到下一代的3纳米制程生产工艺上。
毕竟这个世界，就是看谁先突破的。
如果谁率先掌握了3纳米制程工艺，谁就能接到更多的订单。
至于3纳米制程的硅基芯片到底性能如何，理论上是一方面，实际用起来又是另外一方面了。
而人家可是根本不在乎消费者感受的。
反正只要说出去是3纳米，让消费者感觉高大上就足够了。
至于他们到底能不能用处3纳米的感受，商家才不会管呢。
这就是在星火科技参与到这个领域之前，那些芯片制造商们的想法。
而当星火科技介入到这个领域，并且直接就拿出碳纳米管芯片之后，原来那些芯片厂商都在风中凌乱了。
这时候大家急着向前赶的意愿就更加强烈了，至于性能方面无所谓。
但只要把制程缩短，听起来就会高大上，就很高科技的样子。
消费者就愿意买单，这样他们的芯片也就有了和碳纳米管芯片掰手腕的实力。
可星火科技这边了解过他们的心态之后，也就放松了。
就让他们着急去好了。
毕竟就算他们研究出1纳米制程的硅基芯片，也是没用。
因为硅基芯片和碳纳米管芯片的差距，是材料的物理属性决定的。
碳纳米管芯片，因为使用石墨烯管不同，比硅基芯片使用的晶体管有着先天的优势。
硅基芯片的工作原理，电子是在晶体管里两边串，触发开关，来传递信号。
而碳纳米管鲜甜就是石墨烯卷成的管材，电子在这个管里面来回移动，速率就更快。
最关键是这玩意的散热还天生就比硅基要好，摩擦小，散热好，自然功耗就更低。
而且在芯片工作的时候，自发热低的话，对芯片长时间工作的电子逃逸，和信号干扰性能就好。
所以碳纳米管芯片的性能，天生就比硅基芯片强。
至于强多少，那就要看工程师们的设计了。
既然28纳米制程的碳纳米管芯片，已经碾压同时代的5纳米制程硅基芯片了。
星火科技这边也就不着急了。
而且为了培养工程师，那些克隆专家，还手把手的带着团队，一起来设计者芯片的布局。
反复在28纳米制程方面挖潜。
毕竟设计这样的芯片，要使用他们自己开发的类似EDA的电子工具。
而且你还要有自己的思路，为什么要这样设计，这样的设计目的是什么。
这可和轨迹芯片布置晶体管是完全不一样的，因为石墨烯管和晶体管的性质也完全不同。
很多以前不可以那样做的设计，现在都可以了。
所以芯片设计师们，自然要打开思路，要从新培养。
而现在28纳米制程的碳纳米管芯片，在不断重新设计，反复挖潜之后。
已经有推出了两代产品。
其中第二代产品的性能，就已经相当于3纳米制程的硅基芯片了。
而现在三桑和特极点，却依旧在忙三进四的赶工，想要完成3纳米制程硅基芯片的设计呢。
但据说，进展都不是很顺利。
尽管三桑方面多次公开表示，已经掌握了技术，可实际上距离真正的量产还远着呢。
可现在他们的第二代28纳米制程的碳纳米管芯片，已经领先他们的3纳米技术了。
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